随着集成电路制程节点不断向纳米尺度迈进，光刻技术已从紫外全谱（g线、i线）发展到深紫外（KrF、ArF）乃至极紫外（EUV）光源。光刻胶作为光刻工艺的核心材料，其纯度直接影响光刻图案的分辨率与芯片良率。尤其在EUV光刻时代，对光刻胶中金属杂质和颗粒物的控制要求已趋极致，因此光刻胶原料及成品的纯化处理成为决定光刻技术水平的关键环节之一。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量，精确测定样品的表面台阶高度与膜厚，为材料质量把控和生产效率提升提供数据支撑。

光刻胶的组成与分类

光刻工艺与光刻胶反应机制：(a)光刻胶酸催化反应机制；(b)正负性光刻胶光化学反应分子结构对比；(c)光刻工艺示意图

光刻胶通常由溶剂（质量分数50%～90%）、树脂（10%～40%）、感光剂（1%～6%）及少量添加剂组成。根据光化学反应机制，光刻胶可分为正性和负性两类：正性光刻胶曝光后感光剂分解，树脂变为可溶，未曝光区保留；负性光刻胶则曝光后树脂交联而不溶，未曝光区被显影去除。正性光刻胶因分辨率高、对比度好而应用更广。光刻胶广泛应用于半导体、液晶显示和印刷电路板制造。当前我国在中低端光刻胶市场有一定产能，但高端半导体光刻胶（如KrF、ArF、EUV）仍严重依赖进口。

光刻工艺与质量控制

典型光刻工艺的过程：(a)衬底预处理；(b)旋转涂胶；(c)软烘；(d)曝光；(e)曝光后烘烤；(f)显影；(g)坚膜烘焙；(h)显影检查

典型光刻工艺包括衬底预处理、涂胶、软烘、曝光、曝光后烘烤、显影、坚膜及检测。整个流程需在极高洁净度环境下进行，以避免颗粒和金属杂质污染。在光刻工艺的质量控制环节，探针式台阶仪作为一种高精度表面轮廓测量设备，发挥着关键作用。该设备基于触针扫描原理，通过金刚石探针直接接触光刻胶薄膜表面，随着表面台阶与轮廓的起伏产生位移变化，传感器将位移信号转换为电信号，从而实时生成表面轮廓曲线和台阶高度数据。台阶仪的核心优势在于其高精度测量能力，垂直分辨率可达亚埃级别（0.1nm），能够精确测定几纳米 至上千微米的台阶高度。现代台阶仪配备微力恒力控制功能，探针接触力可在0.03mg至50mg范围内精确调节，这一特性使其特别适用于光刻胶等软质材料的无损测量，避免因探针压力过大导致样品损伤或测量失真。在光刻工艺中，台阶仪主要用于光刻胶膜厚测量、刻蚀深度监测、显影后图案形貌分析等关键环节，为工艺优化和良率提升提供直接数据支撑。

光刻胶中的杂质会导致多种缺陷：凸出缺陷（图形超出设计范围）、针孔缺陷（细小空洞）、暗斑缺陷（掩模污染）等，这些缺陷均会降低芯片良率。台阶仪通过精确测量光刻胶台阶高度和表面形貌，能够有效监测这些缺陷的形成情况。因此，对光刻胶原料及成品的纯化至关重要，而台阶仪作为重要的计量工具，为纯化效果评估和工艺质量控制提供了可靠保障。

高纯电子化学品标准

根据国际半导体设备与材料组织标准，湿电子化学品按金属杂质含量、颗粒粒径等分为G1至G5五个等级。高端光刻胶要求总金属离子质量浓度控制在 1×10−12 g/mL1×10−12g/mL 级别。我国自20世纪70年代起制定BV系列标准，目前已逐步与国际SEMI标准接轨。

光刻胶树脂的纯化

光刻胶图形化过程反应机制：(a)酚醛树脂-DNQ 光刻胶作用机制示意图；(b)经典化学增幅型光刻胶反应机制示意图

树脂决定光刻胶的基本性能。早期树脂如聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶-叠氮类用于负性光刻胶，但分辨率有限。酚醛树脂-重氮萘醌体系成为g线、i线正性光刻胶的代表。1982年提出的化学增幅型光刻胶引入光产酸剂，通过质子酸催化反应大幅提升灵敏度，此后聚对羟基苯乙烯用于KrF光刻胶，聚甲基丙烯酸酯用于ArF光刻胶，EUV光刻胶则探索多种新型树脂体系。

液相萃取耦合离心分离的组合工艺示意图

树脂中杂质主要包括未聚合单体、低聚物和金属离子。去除单体和低聚物常用有机溶剂萃取，但溶剂消耗大、周期长；陶瓷超滤膜可实现连续分离，提高效率。金属离子去除早期多用离子交换法，但可能引入酸性物质导致树脂性能下降；液相萃取法及其与离心分离的耦合技术可实现连续操作，大幅缩短处理时间。这些方法结合使用已成为树脂纯化的主流策略。

光刻胶溶剂的纯化

常用溶剂如丙二醇甲醚醋酸酯需达到电子级纯度。离子交换法可有效去除金属离子，但可能引起溶剂水解；螯合树脂可避免此问题。膜过滤技术尤其是尼龙膜因其胺基对金属离子的吸附作用，在溶剂纯化中表现优异。通过对膜材料改性（如引入羧基），可进一步提升金属离子去除率，且不产生酸性副产物。绿色合成工艺如反应蒸馏结合变压精馏，实现了高纯PGMEA的连续化生产，并回收副产物，符合低碳发展方向。

光产酸剂的纯化

光刻化学品中的有机杂质和金属杂质

光产酸剂是化学增幅型光刻胶的核心组分，其纯度影响光刻灵敏度。合成过程中可能引入酸性杂质和金属残留。传统水洗法处理周期长，离子交换法可高效去除酸性杂质。对于金属离子（如镁、钨），常采用络合、吸附、萃取等多级组合工艺，最终可将金属含量降至 5×10−9 g/mL5×10−9g/mL 以下。

光刻胶成品的纯化

膜过滤法去除颗粒污染物机制：(a)尼龙膜吸附示意图(b)颗粒筛分示意图

成品光刻胶需同时去除颗粒污染物和金属离子。颗粒物去除主要依靠微孔滤膜过滤，膜材质影响显著：尼龙膜因吸附作用对极性污染物去除效果好，超高分子量聚乙烯膜在EUV金属氧化物光刻胶纯化中表现优异。通过膜表面功能化改性，可引入离子交换或吸附基团，实现对金属离子的同步去除。吸附法和离子交换法仍是金属离子去除的主要手段，但需避免酸性物质对光刻胶性能的损害。近年来，功能化滤膜、离子交换膜片及复合过滤器的开发，为光刻胶高效纯化提供了新路径。

超高分子量聚乙烯(UPE)膜的优化设计：(a)深度过滤功能；(b)尺寸排阻过滤功能；(c)膜孔径分布均匀化

在光刻胶成品质量控制环节，探针式台阶仪同样是不可或缺的检测工具。其校准过程依赖于台阶高度标准样板，该样板通过光刻、刻蚀、溅射等工艺制备，具备已知高度与良好表面特性，可溯源至激光干涉仪或原子力显微镜的定值。依据JJF129—2017《台阶仪校准规范》，台阶仪的垂直方向示值误差与重复性是评价仪器性能的核心指标，直接影响光刻胶膜厚测量的准确性。高精度台阶仪能够实现1nm以内的台阶高度重复性，为光刻胶成品的膜厚均匀性和表面形貌一致性提供可靠保障。

光刻胶及其原料的纯化技术正朝着高精度、高效率、绿色低碳方向发展。传统方法如萃取、吸附、离子交换仍在使用，但存在处理周期长、溶剂消耗大等问题。膜分离技术因其连续性强、分离精度高，在颗粒物去除方面已取得显著成效。在质量控制领域，探针式台阶仪作为高精度表面轮廓测量设备，在光刻胶膜厚测量、刻蚀深度监测、图案形貌分析等环节发挥着不可替代的作用，其亚纳米级测量精度和微力控制功能为光刻工艺优化和良率提升提供了关键支撑。未来，随着光刻技术向更小节点演进，对台阶仪等计量设备的精度和稳定性要求将进一步提升。同时，陶瓷膜凭借其优异的化学稳定性和可功能化修饰的特性，有望在高纯光刻胶深度纯化中发挥重要作用。结合绿色合成工艺与高效分离技术的集成创新，以及高精度计量技术的协同发展，将有力推动高端光刻胶的国产化与产业化进程。

Flexfilm探针式台阶仪

技术支持：180-1566-6117

在半导体、光伏、LED、MEMS器件、材料等领域，表面台阶高度、膜厚的准确测量具有十分重要的价值，尤其是台阶高度是一个重要的参数，对各种薄膜台阶参数的精确、快速测定和控制，是保证材料质量、提高生产效率的重要手段。

✔ 配备500W像素高分辨率彩色摄像机

✔ 亚埃级分辨率，台阶高度重复性1nm

✔ 360°旋转θ平台结合Z轴升降平台

✔ 超微力恒力传感器保证无接触损伤精准测量

费曼仪器作为国内领先的薄膜厚度测量技术解决方案提供商，Flexfilm探针式台阶仪可以对薄膜表面台阶高度、膜厚进行准确测量，保证材料质量、提高生产效率。

原文参考：《集成电路高端光刻胶材料纯化研究进展》