双腔电子束蒸发与磁控溅射沉积1μm铝膜：方块电阻、反射率和致密性对比
铝的导电性、延展性和低成本使其成为芯片内部金属互连层的常用材料，用于连接晶体管、电阻器等元件。电子束蒸发和磁控溅射是沉积铝膜的两种主流真空镀膜方法。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准 ...
光谱椭偏仪在半导体衬底材料表征中的应用：从Si到SiC、GaN与III-V 族材料
半导体衬底不仅为外延生长和器件制造提供基底，其光学性质也会影响外延层、介质层及多层结构的参数分析。光谱椭偏仪（SE）通过测量反射光偏振状态的变化，获得椭偏参数 Ψ 和 Δ，再结合光学模型分析材料的复折射率、介 ...
台阶仪如何测量黑硅刻蚀深度？含氟等离子体工艺与纳米结构解析
含氟等离子体刻蚀可在硅表面形成黑硅纳米结构，但无掩膜条件下结构如何起始、生长并停止，仍需从表面反应过程解释。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量，精确测定样品的 ...
全光谱椭偏仪在半导体制造中的应用与选型
半导体制造涉及氧化、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、化学机械抛光（CMP）及先进封装等多个工艺环节。不同工艺使用的材料、膜厚范围和控制指标存在差异，检测设备需要与具体工艺需求匹配。费曼仪器（Flexfilm）全光谱 ...
光刻胶膜厚怎么测？i线与电子束双曝光工艺解析
mr-EBL 6000.5是一种环氧树脂基化学放大负性光刻胶，对电子束和紫外光均具有感光能力。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键参数的定量测量，精确测定样品的表面台阶高度与膜厚，为材料质量把 ...
用椭偏仪测二氧化硅膜厚评估镀膜设备：检测目标、评估指标与逐级确认
晶圆片上的二氧化硅薄膜有多厚，椭偏仪几秒钟就能给出一个数。难的是拿这个数去判镀膜设备的性能与工艺稳定性：从椭偏仪读数到设备结论，中间要逐级确认——测量系统、镀膜设备、工艺窗口，顺序不能交换。SiO₂/Si 是 ...
台阶仪怎么测出薄膜厚度：针尖、测力、速度、滤波与热漂移五条边界
薄膜厚度与台阶高度是产线上测得最频繁的两个量，读数却常被当成一个稳定的常数。同一根针，只把扫描方式从旋转标准件换成往复扫描，针尖寿命就从 50 km 量级掉到 6.5 m 上下。这个落差说明台阶仪（触针式轮廓仪）报出的 ...
光谱椭偏仪测薄膜：一个光斑给出一个数，光斑里却不一定只有一种结构
光谱椭偏仪测一片薄膜只要几秒，不接触样品，也不消耗样品。它在紫外到近红外一整段上取谱，常见的光谱范围从 200–400 nm 的紫外一直排到 800–1000 nm 的近红外。它测的不是厚度，而是偏振态在这段波长上怎么变；厚度、折 ...
台阶仪扫描速度调快10倍：同一片样品，测量峰高从 2.15 µm 涨到 9.22 µm
扫描速度是台阶仪量测软件里一个可以直接改的参数。为了省时间把它调快，同一片样品、同一根探针、同一个测点，读数会跟着变——喷砂后研磨的双工艺随机表面，最大峰高 Sp 从 2.15 µm 涨到 9.22 µm，4.3 倍。多出来的那些峰 ...
同一片超薄膜，两次椭偏给出不同的 n 和厚度：先查参数耦合
同一片超薄膜、同一台椭偏仪，换一组初值或换一个色散模型，就能得到另一套同样合理的厚度与折射率。产线用折射率判膜质、用厚度判工艺，只看其中一个数，分不清是镀膜漂了还是拟合没收敛。椭偏与反射法给同一片 10 nm ...
台阶仪读数对不上：先分清哪些来自探针、哪些来自样品
台阶仪测台阶高度、反推薄膜厚度或刻蚀深度，是薄膜线上最常见的量测动作之一。读数对不上时，产线上的处置通常是复测、换点、再换一台仪器。读数里有一部分不来自样品，而来自探针系统本身：同一片磨痕截面上，同一 ...
椭偏仪和台阶仪测同一片薄膜，读数为什么对不上？
同一片薄膜，椭偏仪拟合出的厚度和几何测量给出的厚度常常差几个百分点。产线上的处置大多是复测、换点、再换一台仪器，一轮下来未必找得到原因。一项发表在 Frontiers in Physics 上的研究，在同一批非晶碳膜上做了三件事 ...
氧化物半导体H₂传感器：Pd薄膜厚度影响与高响应低浓度探测
H₂在化工与能源领域广泛使用，能量密度高、来源广、产物无污染，但无色无味、扩散快、易渗透、爆炸范围宽，使用环境需要实时监测。氧化物半导体H₂传感器靠H₂与表面吸附氧反应释放电子、改变电阻来检测气体，但氧化 ...
ALD进入高深宽比时代：纳米级薄膜厚度到底怎么测？
原子层沉积（ALD）是先进微电子制造的关键使能技术。它把两种或多种气态前驱体交替通入反应腔，靠自限制的表面反应，在每半个循环里只完成一层化学吸附。反应位点被占满后反应自动停止，前驱体多通一点也不会多长，膜 ...
台阶仪在Ti掺杂Cu3SbSe4薄膜热电性能中的应用：膜厚与粗糙度表征
热电材料可实现热能与电能的相互转换，量纲为一的热电优值（ZT 值）是衡量转换效率的核心指标。铜锑硒（Cu₃SbSe₄）属于 p 型半导体，理论 ZT 值可达 1.26，禁带宽度 0.29 eV，制备成本低于碲化铋且不含剧毒元素，在薄膜太阳 ...
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