光谱 VS. 单波长椭偏仪：集成电路检测中的精度与适用性比较
椭偏术因其高灵敏度、非接触与在线测量能力，已成为薄膜与 IC 工艺检测的重要手段。但仪器的准确性依赖系统中偏振元件与几何参数的精确校准，且在工业环境中这些参数会随时间与环境漂移变化——因此需要快速、简单且 ...
干货 | 半导体工艺测量设备如何“校准”？详解三种计量技术
随着半导体器件向高集成度、高密度和高性能方向发展，器件尺寸不断缩小，对生产工艺的监控要求也越来越高。为此，需要围绕整个半导体工艺线开展计量保障技术研究，建立完善的量值溯源体系，确保工艺参数准确可靠。Fle ...
椭偏仪在光刻领域抗反射涂层中的应用
随着微电子技术的快速发展，光刻工艺不断追求更高的分辨率。在这一过程中，光刻胶和光刻技术起到了关键作用。光刻胶是一种感光高分子材料，用于将掩膜版上的精细图案转移到基体上。随着曝光波长从紫外全谱逐步缩短到 ...
椭偏仪在HfO₂薄膜光学常数测量中的应用
随着光电技术的发展，光学薄膜不仅需要良好的光学性能，还需具备电磁屏蔽、激光防护等特性。在众多膜料中，氧化物因硬度高、性能稳定而备受青睐。其中，HfO₂薄膜具有透射范围宽、折射率高、禁带宽度大、激光损伤阈值 ...
台阶仪在硅槽刻蚀速率及片内均匀性测试中的应用
在MEMS压力传感器中，应力敏感薄膜的制备精度直接影响器件性能。该薄膜通常通过湿法硅深槽刻蚀工艺实现，而刻蚀深度及均匀性决定了薄膜厚度的可控性。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表面微观特征的精准表征与关键 ...
椭偏仪在渐变纳米膜中的应用：厚度梯度测量
随着5G通信技术的发展，手机后盖逐渐采用玻璃、陶瓷等非金属材料。渐变色外观成为提升产品美感的重要手段，其核心原理是在溅射镀膜过程中控制玻璃基片不同区域的薄膜厚度，形成递增或递减的梯度变化，利用光的反射、 ...
台阶仪在机器视觉中的应用：异质结人工突触器件的厚度表征
机器视觉是人工智能的重要技术方向，但现有系统通常假设输入信号是理想化的，在真实复杂环境中容易出现高置信度的错误判断，且缺乏预警机制。同时，传统架构中传感器、存储器和处理器相互分离，导致功耗高、延迟大。 ...
椭偏光学在气体传感中的应用：基于SnO₂/多孔硅异质结构的有机化合物检测
气体检测在工业、环境和医疗领域至关重要，但传统金属氧化物半导体（如SnO₂）气体传感器存在工作温度高、选择性差的瓶颈问题，制约其低功耗应用。Flexfilm费曼仪器全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜的厚度与折射率的高精度 ...
探针式台阶仪三种典型软故障：位置偏移、针尖沾污、测力异常的调修方法
在集成电路与MEMS工艺中，台阶高度是衡量器件质量的核心参数之一。当前半导体产线广泛使用接触式台阶仪，其原理是让金刚石触针沿样品表面滑行，由位移传感器将垂直位移转为电信号，经A/D转换后生成台阶轮廓。这套方法 ...
深度学习椭偏术（DLE）：光学常数、薄膜结构和带隙的超快高精度确定
光谱椭偏术是表征薄膜光学常数（折射率n、消光系数k）、厚度和带隙的重要手段，但传统数据分析依赖专家手动建模，耗时长且门槛高。近年来，基于深度学习的椭偏术（DLE）开始兴起，但早期方法存在明显局限：直接转换法 ...
薄膜铌酸锂光波导 vs 传统铌酸锂波导：基于台阶仪的波导刻蚀深度与损耗差异分析
随着光子集成技术（PIC）的发展，复杂光波导（如Y分支、S弯曲）成为实现器件微型化的关键，但传统铌酸锂体材料折射率差小、光束缚弱，而薄膜铌酸锂（LNOI）虽平台优良却因硬度大、化学惰性强，导致光刻与刻蚀工艺中特征 ...
光谱椭偏仪SE：光学常数nk、薄膜厚度与数据分析
光谱椭偏术（Spectroscopic Ellipsometry,SE）是一种非侵入式光学表征技术，通过测量光与样品相互作用后偏振态的变化，获取薄膜厚度（t）、折射率（n）和消光系数（k）等关键参数。Flexfilm费曼仪器全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜 ...
半导体晶圆表面缺陷类型及测量技术：台阶仪 VS. 光学测量
在半导体制造过程中，晶圆表面质量直接影响器件性能、可靠性以及最终良率。随着先进制程不断向更小线宽、更高集成度发展，晶圆表面缺陷控制已经成为影响工艺稳定性的重要环节。Flexfilm费曼仪器探针式台阶仪可以实现表 ...
一文学懂椭偏仪：测量薄膜/块体材料的折射率、消光系数及厚度
椭偏仪是一种基于椭圆偏振分析的光学测量仪器，通过探测偏振光与样品相互作用后偏振态的变化，获取材料的光学常数和结构信息。Flexfilm费曼仪器全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜的厚度与折射率的高精度表征，广泛应用于薄 ...
台阶仪在磁性薄膜的应用 | 纳米级厚度量化交换偏置场
在自旋电子学器件制造领域，FeMn/CoFeB薄膜体系因其优异的交换偏置特性，已成为磁随机存取存储器（MRAM）和磁传感器研究中的核心结构之一。交换偏置效应源于反铁磁（AFM）层与铁磁（FM）层在界面处的耦合作用，其强弱直接 ...
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