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同一片超薄膜,两次椭偏给出不同的 n 和厚度:先查参数耦合

同一片超薄膜、同一台椭偏仪,换一组初值或换一个色散模型,就能得到另一套同样合理的厚度与折射率。产线用折射率判膜质、用厚度判工艺,只看其中一个数,分不清是镀膜漂了还是拟合没收敛。椭偏与反射法给同一片 10 nm 膜读出 9.7 nm 与 11.3 nm,差 1.6 nm,而椭偏的扩展不确定度是 1.7 nm、反射法 3.2 nm,差值落在两者之内,一项椭偏与反射法的对比研究据此判两法一致。费曼仪器(Flexfilm)全光谱椭偏仪可以非接触对薄膜的厚度与折射率的高精度表征,广泛应用于薄膜材料、半导体和表面科学等领域。

椭偏仪报出的厚度 d 与折射率 n 来自同一次拟合,是两个同时解出的未知量。薄膜交给椭偏的独立信息少,待求的参数多,这套反演在数学上就是欠定的——厚度与折射率的耦合正长在这里。

薄膜只给椭偏两个独立的数

椭偏测偏振态变化,输出 ψ 与 Δ 两条谱;拟合从这两条谱反推厚度与色散曲线。

薄膜极限(thin film limit,厚度远小于波长)下,反演问题的解析研究把椭偏比 ρ 展开成级数:前两项形式简单,只依赖两类积分,积分里是涂层介电剖面与基底介电常数之差。数据里只带走两个独立的量。更高阶项存在,形式复杂,对反演没有帮助。待求的是一条 n(λ) 曲线、一条 k(λ) 曲线,再加一个厚度——未知量多于独立方程,欠定就从这里来。

独立信息有多少,看 ψ/Δ 曲线的形状就能估。标称 15 nm 的 Al₂O₃/Si 样品,在 65°、70°、75° 三个入射角下 ψ 与 Δ 都平滑、几乎不振荡,模型曲线与实测几乎重合;换成 2000 nm 的 SiO₂/Si 样品,同一组角度下 ψ 与 Δ 出现密集振荡。振荡的个数对应数据能提供的独立信息量:厚膜振荡多,约束足;薄膜振荡少,那两个独立量很快被用完。

椭偏曲线承载的独立信息很少:15 nm Al₂O₃/Si 样品在 65°、70°、75° 三个入射角下的 ψ 与 Δ 谱平滑、几乎无振荡,模型曲线与实测基本重合,薄膜厚度与折射率的解不唯一 

椭偏曲线承载的独立信息很少:15 nm Al₂O₃/Si 样品在 65°、70°、75° 三个入射角下的 ψ 与 Δ 谱平滑、几乎无振荡,模型曲线与实测基本重合,薄膜厚度与折射率的解不唯一

厚膜的 ψ/Δ 才提供足够约束:2000 nm SiO₂/Si 样品在同一组三个入射角下,ψ 与 Δ 出现密集振荡,振荡个数对应数据能提供的独立信息量 

厚膜的 ψ/Δ 才提供足够约束:2000 nm SiO₂/Si 样品在同一组三个入射角下,ψ 与 Δ 出现密集振荡,振荡个数对应数据能提供的独立信息量

nm 薄膜的椭偏研究提到一条经典分界:薄膜厚度超过 15 nm,两个参数才可能同时定出来;这条限制已被知晓一个世纪。更薄的时候,存在一整条等价的解。在这项研究的模型里,硅片上 1.6 nm 的天然氧化层,取 n = 1.457、d = 1.6 nm 时,所有 χ² < 0.01 的 (n, d) 组合同样能匹配实测的 ψ 与 Δ;第一椭偏矩保持恒定的等值线落在 E₁ = 11 nm。这两个数字是这项研究的模型计算结果,用来说明等价的解不是几个点,而是一条带。它给出的出路是先加一次参考测量——测未镀膜的裸基底——之后可下探到 5 nm 仍可靠。

厚度可以「看着对」,n 却全错

光谱反演的优化研究在开头就写明:从光谱数据同时反演厚度与光学常数,反演问题不唯一,存在多个解同时最小化同一个损失函数,必须另加物理约束才能收敛到有意义的解。它处理的是反射/透射光谱反演,不是椭偏的 ψ/Δ;两者的数学结构同类,未知量个数都超过独立方程个数,所以结论可以借,数字不能当成椭偏实测值。

它把这件事写成优化问题:局部算法(Levenberg–Marquardt,LM)与全局进化算法(CMAES)在同一批数据上比平均损失。Tauc-Lorentz 振子模型下,LM 的平均损失是 61.62,CMAES 是 1.38,相差约 44.6 倍;高斯振子模型下分别是 90.55 与 2.47,相差约 36.6 倍。它还指出,LM 的表现强烈依赖初值。

损失能差几十倍,误差的分布还不均匀。同一批 100 个合成样品上,厚度估计的方差小,折射率估计的方差大;被判为离群的解,定义就是厚度估计令人满意,但折射率实部或虚部相对参考剖面偏离很大。

落到验收上:只看厚度对不对,等于把折射率的错误一起放行。厚度是这次拟合里先收敛的那一个,折射率才是容易跑掉的那一个。

换方法、换模型,值就换

这项对比研究把椭偏与反射法放在同一批均匀样品上比:6 片 SiO₂/Si(标称 10 nm 到 2000 nm)加 1 片 Al₂O₃/Si(标称 15 nm),两法各自给出完整的测量不确定度预算。

样品

椭偏 d ± U

反射法 d ± U

反射法减椭偏

SiO₂ 2000 nm

2011.8 ± 17.1

2006.0 ± 8.0

-5.8

SiO₂ 1000 nm

1007.2 ± 8.8

1003.6 ± 6.8

-3.6

SiO₂ 512 nm

515.4 ± 3.5

515.3 ± 6.0

-0.1

SiO₂ 103 nm

104.0 ± 1.9

102.6 ± 3.2

-1.4

SiO₂ 60 nm

59.2 ± 1.9

61.1 ± 2.8

1.9

SiO₂ 10 nm

9.7 ± 1.7

11.3 ± 3.2

1.6

Al₂O₃ 15 nm

19.6 ± 1.8

18.8 ± 1.6

-0.8

厚度与不确定度的单位均为 nm;U 为扩展不确定度(expanded uncertainty),末列为表中两列读数相减。测量条件:椭偏实际使用 192–1000 nm(仪器上限 1697 nm,近红外段因双面抛光衬底强背反射被截断),入射角 65°、70°、75°;反射法 370–830 nm,单一入射角 11°。

表中的 U 决定了怎么下结论。判断两法是否一致,比的是差值和 U,不是两个读数:10 nm 样品上两法差 1.6 nm,而椭偏的 U 是 1.7 nm、反射法的 U 是 3.2 nm,差值落在两者之内,这项对比研究的一致结论就建立在这一步上——10 nm 到 2000 nm 全区间两法符合良好,偏差始终落在测量不确定度之内。只摘出 9.7 与 11.3 两个数而不并列 U,会把一致读成矛盾。

不确定度在超薄膜这一段陡升。椭偏厚度的相对合成标准不确定度:10 nm 样品 8.2%,15 nm 样品 4.6%,60 nm 样品 1.5%,更厚的样品都低于 1%。这一段量级要单独交代,因为超薄膜上的不确定度不是小数点后的位数,是两位数的百分比。

两种方法没有绝对优劣,优势随厚度换手。约 500 nm 以下椭偏更准,1000 nm 以上反射法更准:2000 nm 样品上椭偏的 U 是 17.1 nm,反射法只有 8.0 nm。这是本次测量加本次不确定度预算下的结论,换样品体系要重测。

模型结构也是变量。标称 15 nm 的 Al₂O₃ 样品,两法都读成约 19 nm(19.6 与 18.8)。这项对比研究的归因是推测性的:模型里缺少 Al₂O₃–Si 界面层,可能是原因。标称值不是计量标准值,这里的意义不在于偏了多少纳米,而在于两法在同一套模型结构下给出同向的结果——模型少一层,厚度就整体平移。

这项对比研究还给出一条限定:层厚与光学常数之间的强歧义会显著抬高测量不确定度,并可能给出物理上无意义的结果;这条限定只针对更复杂或不理想的样品体系,尤其是只有反射法数据可用的时候。均匀氧化膜这套样品上两法结果一致,原因正是模型结构一致。

怎么判、怎么处理

波长与角度决定参数能不能被测出来。这项解析研究在弱对比极限下算过一组:基底折射率 1.50、剖面总厚 45 nm 且含 5 nm 内层,比较 300 nm 与 632.8 nm 两个波长下 Re(ρ−ρ₀) 随入射角的变化。结论是 300 nm 的响应大于 632.8 nm,而且在 ψ、Δ 标准误差为 ±0.01° 时,632.8 nm 处 Re(ρ−ρ₀) 的响应可能不足以可靠确定与拟合相关的矩。图里的竖线就是 ±0.01° 对应的置信限。这项解析研究全部是解析推导加数值验证,没有实验。

测量精度决定参数能否被测出来:Re(ρ−ρ₀) 随入射角变化,300 nm 的响应大于 632.8 nm,两条竖线是 ψ、Δ 标准误差 ±0.01° 对应的置信限 

测量精度决定参数能否被测出来:Re(ρ−ρ₀) 随入射角变化,300 nm 的响应大于 632.8 nm,两条竖线是 ψ、Δ 标准误差 ±0.01° 对应的置信限

对现场来说,参数不是拟合一下就有,它由波长、角度和仪器精度共同决定。这项解析研究给出的方向是,选基底折射率与入射波长可以创造出让问题可判定的条件。

解耦的路径有几条,证据强度不同。多角度测量加更合适的光谱范围能提升椭偏灵敏度,这是这项对比研究的建议,未给定量增益。浸没椭偏研究改变测量环境、把厚度与折射率解耦,辅助单层样品研究用单层样品压制多层堆栈里的参数相关——这两条本轮都只取到标题层面的主张,未读正文,不引用其数字。

把上面几节的判读依据汇总成一张表:

现象

先查什么

判读依据

处理动作

同一片膜两次拟合,n 与 d 都换了值

参数耦合

换初值或换模型后厚度是否稳定,n 是否跟着厚度一起漂

先用独立方法定住 d,再拟合色散

厚度对得上,n 的曲线形状不对

初值与优化算法

是否落进局部极小

换全局优化,或做初值扫描

超薄膜两法读数不同

不确定度

差值是否落在两法扩展不确定度之内

落在之内记一致;超出则查模型结构

读数系统性偏离标称值

模型层数

模型是否缺界面层或表面层

补层后重拟,不要只调厚度

参数怎么拟都不稳

波长与角度

当前波长下 ρ 的变化是否超过仪器 ψ/Δ 精度

换到短波、增加入射角、补一次参考测量

表中每行对应一条处理动作。

先做不确定度,再比读数。 同一片膜上两法不同,先把各自的扩展不确定度写出来,差值落进去就记一致,不必追。

先把厚度定住,再解色散。 厚度与 n 耦合时,用一个独立方法给 d 一个锚点,让拟合只解色散曲线。

换初值和优化器,看解稳不稳。 换初值后厚度跟着变,说明落进了局部极小,该换全局算法或做初值扫描。

波长和角度是参数,不是背景。 响应不够的波段上,再长的拟合时间也换不来可信的折射率。

这篇文章给不出椭偏测 n 和 d 的误差上限,那个数字不存在——只能问:在当前波长、角度与仪器精度下,厚度与折射率是否已经被数据定住。


费曼仪器(Flexfilm)全光谱椭偏仪

技术支持:180-1566-6117 

技术支持:180-1566-6117

费曼仪器(Flexfilm)全光谱椭偏仪拥有高灵敏度探测单元和光谱椭偏仪分析软件,专门用于测量和分析半导体领域中单层或多层纳米薄膜的层构参数(如厚度)和物理参数(如折射率n、消光系数k)

n 先进的旋转补偿器测量技术:无测量死角问题。

n 粗糙绒面纳米薄膜的高灵敏测量:先进的光能量增强技术,高信噪比的探测技术。

n 秒级的全光谱测量速度:全光谱测量典型5-10秒。

n 原子层量级的检测灵敏度:测量精度可达0.05nm。

费曼仪器(Flexfilm)全光谱椭偏仪能非破坏、非接触地原位精确测量超薄图案化薄膜的厚度、折射率,结合费曼仪器(Flexfilm)全流程薄膜测量技术,助力半导体薄膜材料领域的高质量发展。

原文参考:反演问题的解析研究|Toomey, R. G. Tackling the inverse problem in ellipsometry: analytic expressions for supported coatings with nonuniform refractive index profiles in the thin film and weak contrast limits. Physica Scripta, 2024, 99(3): 035529. DOI: 10.1088/1402-4896/ad265e

椭偏与反射法的对比研究|Rastgou, M.; Hülagü, D.; Danilenko, A.; Manoocheri, F.; Hertwig, A.; Ikonen, E. Comparison of thin-film thickness measurements using ellipsometry and reflectometry with uniform samples. Metrologia, 2026, 63(1): 015006. DOI: 10.1088/1681-7575/ae3964

光谱反演的优化研究|Dutta, R.; Tian, S. I. P.; Liu, Z.; Lakshminarayanan, M.; Venkataraj, S.; Cheng, Y.; Bash, D.; Chellappan, V.; Buonassisi, T.; Jayavelu, S. Extracting film thickness and optical constants from spectrophotometric data by evolutionary optimization. PLOS ONE, 2022, 17(11): e0276555. DOI: 10.1371/journal.pone.0276555

nm 薄膜的椭偏研究|Nestler, P.; Helm, C. A. Determination of refractive index and layer thickness of nm-thin films via ellipsometry. Optics Express, 2017, 25(22): 27077. DOI: 10.1364/OE.25.027077

浸没椭偏研究|Jafari, S.; Johs, B.; Linford, M. R. Immersion ellipsometry for the uncorrelated determination of ultrathin film thickness and index of refraction: Theory and examples. Journal of Vacuum Science & Technology A, 2024, 42(5): 053401. DOI: 10.1116/6.0003511

辅助单层样品研究|Park, J.; Bae, J.; Jang, Y.-S.; Jin, J. Thickness measurements and uncertainty evaluation of a multilayer thin-film sample using auxiliary single-layer samples. Metrologia, 2023, 60(2): 025007. DOI: 10.1088/1681-7575/acbd9e

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